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IGBT模塊
TYPE
封裝
結(jié)溫Tj(℃）
集電極-發(fā)射極電壓VCE（V)
集電極電流IC（A)
柵極電壓VGE（V)
功耗PD（W）
最大結(jié)-殼熱阻Rth(j-c)（℃/W）
飽和壓降VCE（sat)(V)
柵極導(dǎo)通電壓VGE（th)(V)
PDF
LSMW50BS120-1 IGBT模塊 175 1200 50 ±20 285 0.55 2.8 5

總 部 電 話：0833-2595870/2598363
華   南   區(qū)：0833-2599163/2595896
華   東   區(qū)：0833-2595818/2595829

代 理 合 作：13551244800/2595865

地          址：四川省樂山市高新區(qū)南新路9號

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